2ED2108S06FXUMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Number of Drivers: 1
Driven Configuration: Half-Bridge
Channel Type: Synchronous
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns
Supplier Device Package: PG-DSO-8-53
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details 2ED2108S06FXUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - 2ED2108S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 700mA, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 290mA, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: SOIC, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 200ns, Ausgabeverzögerung: 200ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote 2ED2108S06FXUMA1 nach Preis ab 0.95 EUR bis 119.89 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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2ED2108S06FXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 2ED2108S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 700mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 200ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 5957 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2ED2108S06FXUMA1 | Infineon Technologies |
Gate Drivers LEVEL SHIFT DRIVER |
auf Bestellung 6214 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2ED2108S06FXUMA1 | Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC DigiKey Programmable: Not Verified Part Status: Active Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Number of Drivers: 1 Driven Configuration: Half-Bridge Channel Type: Synchronous Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns Supplier Device Package: PG-DSO-8-53 High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V Input Type: Non-Inverting Voltage - Supply: 10V ~ 20V Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 9437 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2ED2108S06FXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 2ED2108S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 700mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 200ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 4435 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2ED2108S06FXUMA1 | Infineon Technologies |
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode |
auf Bestellung 32500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2ED2108S06FXUMA1 | Infineon Technologies |
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode |
auf Bestellung 2475 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2ED2108S06FXUMA1 | Infineon Technologies |
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode |
auf Bestellung 2499 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2ED2108S06FXUMA1 | Infineon Technologies |
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode |
auf Bestellung 2499 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2ED2108S06FXUMA1 | Infineon Technologies |
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode |
auf Bestellung 1410 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2ED2108S06FXUMA1 | Infineon Technologies |
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode |
auf Bestellung 1410 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2ED2108S06FXUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED2108S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - 2ED2108S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5957 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 112+ | 2.24 EUR |
| 135+ | 1.71 EUR |
| 150+ | 1.44 EUR |
| 178+ | 1.2 EUR |
| 250+ | 1.18 EUR |
| 500+ | 1.15 EUR |
| 1000+ | 1.12 EUR |
| 2500+ | 0.95 EUR |
| 2ED2108S06FXUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Gate Drivers LEVEL SHIFT DRIVER
Gate Drivers LEVEL SHIFT DRIVER
auf Bestellung 6214 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.39 EUR |
| 10+ | 1.71 EUR |
| 25+ | 1.52 EUR |
| 100+ | 1.37 EUR |
| 250+ | 1.29 EUR |
| 500+ | 1.24 EUR |
| 1000+ | 1.19 EUR |
| 2ED2108S06FXUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Number of Drivers: 1
Driven Configuration: Half-Bridge
Channel Type: Synchronous
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns
Supplier Device Package: PG-DSO-8-53
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Number of Drivers: 1
Driven Configuration: Half-Bridge
Channel Type: Synchronous
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns
Supplier Device Package: PG-DSO-8-53
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 9437 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 2.43 EUR |
| 12+ | 1.77 EUR |
| 25+ | 1.61 EUR |
| 100+ | 1.42 EUR |
| 250+ | 1.33 EUR |
| 500+ | 1.29 EUR |
| 1000+ | 1.26 EUR |
| 2ED2108S06FXUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED2108S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - 2ED2108S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 95+ | 2.65 EUR |
| 126+ | 1.86 EUR |
| 140+ | 1.54 EUR |
| 154+ | 1.4 EUR |
| 250+ | 1.32 EUR |
| 500+ | 1.26 EUR |
| 1000+ | 1.05 EUR |
| 2ED2108S06FXUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 1.57 EUR |
| 2ED2108S06FXUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
auf Bestellung 2475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 64+ | 2.7 EUR |
| 68+ | 2.51 EUR |
| 100+ | 2.13 EUR |
| 200+ | 2 EUR |
| 1000+ | 1.81 EUR |
| 2000+ | 1.69 EUR |
| 2ED2108S06FXUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
auf Bestellung 2499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 64+ | 2.71 EUR |
| 68+ | 2.49 EUR |
| 71+ | 2.34 EUR |
| 100+ | 2.03 EUR |
| 250+ | 1.92 EUR |
| 500+ | 1.7 EUR |
| 1000+ | 1.34 EUR |
| 2ED2108S06FXUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
auf Bestellung 2499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 47+ | 3.69 EUR |
| 55+ | 3.05 EUR |
| 100+ | 2.39 EUR |
| 500+ | 1.95 EUR |
| 1000+ | 1.61 EUR |
| 2ED2108S06FXUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
auf Bestellung 1410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 119.89 EUR |
| 2ED2108S06FXUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
auf Bestellung 1410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 119.89 EUR |