2ED21091S06FXUMA1 Infineon Technologies
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Technische Details 2ED21091S06FXUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - 2ED21091S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 700mA, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 290mA, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: SOIC, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 740ns, Ausgabeverzögerung: 200ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote 2ED21091S06FXUMA1 nach Preis ab 0.86 EUR bis 1.85 EUR
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2ED21091S06FXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 650 V Half Bridge Gate Driver with Integrated Boot Strap Diode |
auf Bestellung 1350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2ED21091S06FXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
650 V Half Bridge Gate Driver with Integrated Boot Strap Diode |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2ED21091S06FXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
650 V Half Bridge Gate Driver with Integrated Boot Strap Diode |
auf Bestellung 2450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2ED21091S06FXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Gate Drivers LEVEL SHIFT SOI |
auf Bestellung 4087 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2ED21091S06FXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 10V ~ 20V High Side Voltage - Max (Bootstrap): 675 V Supplier Device Package: PG-DSO-8 Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns Channel Type: Independent Driven Configuration: High-Side and Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA DigiKey Programmable: Not Verified |
auf Bestellung 2430 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2ED21091S06FXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
650 V Half Bridge Gate Driver with Integrated Boot Strap Diode |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2ED21091S06FXUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - 2ED21091S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 700mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 740ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1989 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2ED21091S06FXUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - 2ED21091S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 700mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 740ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1989 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2ED21091S06FXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
650 V Half Bridge Gate Driver with Integrated Boot Strap Diode |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| 2ED21091S06FXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP001710060 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| 2ED21091S06FXUMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
2ED21091S06FXUMA1 MOSFET/IGBT drivers |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2ED21091S06FXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 10V ~ 20V High Side Voltage - Max (Bootstrap): 675 V Supplier Device Package: PG-DSO-8 Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns Channel Type: Independent Driven Configuration: High-Side and Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA DigiKey Programmable: Not Verified |
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