Technische Details 2ED21091S06FXUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - 2ED21091S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 700mA, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 290mA, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: SOIC, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 740ns, Ausgabeverzögerung: 200ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote 2ED21091S06FXUMA1 nach Preis ab 0.96 EUR bis 2.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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2ED21091S06FXUMA1 | Infineon Technologies |
 650 V Half Bridge Gate Driver with Integrated Boot Strap Diode |
auf Bestellung 1350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2ED21091S06FXUMA1 | Infineon Technologies |
650 V Half Bridge Gate Driver with Integrated Boot Strap Diode |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2ED21091S06FXUMA1 | Infineon Technologies |
650 V Half Bridge Gate Driver with Integrated Boot Strap Diode |
auf Bestellung 2450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2ED21091S06FXUMA1 | Infineon Technologies |
Gate Drivers LEVEL SHIFT SOI |
auf Bestellung 4087 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2ED21091S06FXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 2ED21091S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 700mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 740ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1939 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2ED21091S06FXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 2ED21091S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 700mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 740ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1939 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2ED21091S06FXUMA1 | Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC DigiKey Programmable: Not Verified Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Number of Drivers: 2 Driven Configuration: High-Side and Low-Side Channel Type: Independent Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns Supplier Device Package: PG-DSO-8 High Side Voltage - Max (Bootstrap): 675 V Voltage - Supply: 10V ~ 20V Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 2430 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2ED21091S06FXUMA1 | Infineon Technologies |
650 V Half Bridge Gate Driver with Integrated Boot Strap Diode |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2ED21091S06FXUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
650 V Half Bridge Gate Driver with Integrated Boot Strap Diode
650 V Half Bridge Gate Driver with Integrated Boot Strap Diode
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 588+ | 1.11 EUR |
| 1000+ | 1.04 EUR |
| 2ED21091S06FXUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
650 V Half Bridge Gate Driver with Integrated Boot Strap Diode
650 V Half Bridge Gate Driver with Integrated Boot Strap Diode
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 1.14 EUR |
| 2ED21091S06FXUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
650 V Half Bridge Gate Driver with Integrated Boot Strap Diode
650 V Half Bridge Gate Driver with Integrated Boot Strap Diode
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 130+ | 1.34 EUR |
| 131+ | 1.29 EUR |
| 200+ | 1.23 EUR |
| 1000+ | 1.2 EUR |
| 2000+ | 1.18 EUR |
| 2ED21091S06FXUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Gate Drivers LEVEL SHIFT SOI
Gate Drivers LEVEL SHIFT SOI
auf Bestellung 4087 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 1.81 EUR |
| 10+ | 1.37 EUR |
| 100+ | 1.2 EUR |
| 500+ | 1.17 EUR |
| 1000+ | 1.14 EUR |
| 2500+ | 1.12 EUR |
| 5000+ | 1.11 EUR |
| 2ED21091S06FXUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED21091S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 740ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - 2ED21091S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 740ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1939 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 133+ | 1.89 EUR |
| 166+ | 1.4 EUR |
| 176+ | 1.23 EUR |
| 206+ | 1.05 EUR |
| 250+ | 1 EUR |
| 500+ | 0.98 EUR |
| 1000+ | 0.96 EUR |
| 2ED21091S06FXUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED21091S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 740ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - 2ED21091S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 740ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1939 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 133+ | 1.89 EUR |
| 166+ | 1.4 EUR |
| 176+ | 1.23 EUR |
| 206+ | 1.05 EUR |
| 250+ | 1 EUR |
| 500+ | 0.98 EUR |
| 1000+ | 0.96 EUR |
| 2ED21091S06FXUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
DigiKey Programmable: Not Verified
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Number of Drivers: 2
Driven Configuration: High-Side and Low-Side
Channel Type: Independent
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns
Supplier Device Package: PG-DSO-8
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 675 V
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
DigiKey Programmable: Not Verified
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Number of Drivers: 2
Driven Configuration: High-Side and Low-Side
Channel Type: Independent
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns
Supplier Device Package: PG-DSO-8
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 675 V
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 2.2 EUR |
| 14+ | 1.58 EUR |
| 25+ | 1.43 EUR |
| 100+ | 1.26 EUR |
| 250+ | 1.19 EUR |
| 500+ | 1.14 EUR |
| 1000+ | 1.09 EUR |
| 2ED21091S06FXUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
650 V Half Bridge Gate Driver with Integrated Boot Strap Diode
650 V Half Bridge Gate Driver with Integrated Boot Strap Diode
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)