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2KBP10M-E4/45 VISHAY

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Hersteller: VISHAY

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Technische Details 2KBP10M-E4/45 VISHAY

Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A KBPM, Packaging: Tube, Package / Case: 4-SIP, KBPM, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 165°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: KBPM, Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV, Current - Average Rectified (Io): 2 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3.14 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
2KBP10M-E4/45 Vishay General Semiconduc 2KBP005M-10M%2C3N253-259.pdf Діодні мости малопотужні
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2KBP10M-E4/45 2KBP10M-E4/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2KBP005M-10M%2C3N253-259.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A KBPM
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 165°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBPM
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 2 A
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Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
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Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A KBPM
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 165°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBPM
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3.14 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
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