Technische Details 2N2060 BB
Description: TRANS 2NPN 60V 500MA TO-78-6, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-78-6 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: 2 NPN (Dual), Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Power - Max: 600mW, Current - Collector (Ic) (Max): 500mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: TO-78-6.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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2N2060 | Microchip Technology |
 Description: TRANS 2NPN 60V 500MA TO-78-6Packaging: Bulk Package / Case: TO-78-6 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Power - Max: 600mW Current - Collector (Ic) (Max): 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: TO-78-6 |
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Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS 2NPN 60V 500MA TO-78-6
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-78-6 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 600mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-78-6
Description: TRANS 2NPN 60V 500MA TO-78-6
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-78-6 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 600mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
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