2N2060 Microchip Technology
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details 2N2060 Microchip Technology
Description: TRANS 2NPN 60V 500MA TO-78-6, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-78-6 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: 2 NPN (Dual), Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Power - Max: 600mW, Current - Collector (Ic) (Max): 500mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: TO-78-6.
Weitere Produktangebote 2N2060 nach Preis ab 52.34 EUR bis 92.66 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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2N2060 | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 600mW 6-Pin TO-78 Bag |
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2N2060 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 600mW 6-Pin TO-78 Bag |
auf Bestellung 577 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N2060 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 600mW 6-Pin TO-78 Bag |
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| 2N2060 | Hersteller : BB |
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2N2060 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 600mW 6-Pin TO-78 Bag |
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2N2060 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: TRANS 2NPN 60V 500MA TO-78-6 Packaging: Bulk Package / Case: TO-78-6 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Power - Max: 600mW Current - Collector (Ic) (Max): 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: TO-78-6 |
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2N2060 | Hersteller : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT BJTs |
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| 2N2060 | Hersteller : Central Semiconductor |
Central Semiconductor |
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