2N2218A Microchip Technology
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Technische Details 2N2218A Microchip Technology
Description: MULTICOMP PRO - 2N2218A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 800 mA, 800 mW, TO-39, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 800mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: TO-39, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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2N2218A | Microchip Technology |
 Description: TRANS NPN 30V 0.8A TO39Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 800 mW |
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2N2218A | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 800mA; 800mW; TO39 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.8W Case: TO39 Mounting: THT |
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Mindestbestellmenge: 38 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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2N2218A | CDIL |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.8/3W; TO39 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.8/3W Case: TO39 Current gain: 40...120 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 250MHz |
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2N2218A | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N2218A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 800 mA, 800 mW, TO-39, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: TO-39 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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2N2218A | Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag |
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2N2218A | Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag |
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2N2218A |
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Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 30V 0.8A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 800 mW
Description: TRANS NPN 30V 0.8A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 800 mW
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| 2N2218A |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 800mA; 800mW; TO39
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.8W
Case: TO39
Mounting: THT
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 800mA; 800mW; TO39
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.8W
Case: TO39
Mounting: THT
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| 2N2218A |
|
Hersteller: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.8/3W; TO39
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.8/3W
Case: TO39
Current gain: 40...120
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 250MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.8/3W; TO39
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.8/3W
Case: TO39
Current gain: 40...120
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 250MHz
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| 2N2218A |
|
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N2218A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 800 mA, 800 mW, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: TO-39
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: MULTICOMP PRO - 2N2218A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 800 mA, 800 mW, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: TO-39
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Stück im Wert von UAH
| 2N2218A |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 2N2218A |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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