2N2219[A] (Bipolartransistor NPN) (ON) - Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN
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2N2219[A] (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 39848
Hersteller: ONGehäuse: TO-5
fT: 300 MHz
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 75
Ic,A: 0,8
h21: 325
verfügbar/auf Bestellung
15 Stück - stock Köln
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Technische Details 2N2219[A] (Bipolartransistor NPN)
Preis 2N2219[A] (Bipolartransistor NPN) ab 0.29 EUR bis 14.74 EUR
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2N2219A Hersteller: Rectron O-39 NPN SILICON PLANAR SWITCHING RF TransistorS
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auf Bestellung 1803 Stücke  Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N2219A Hersteller: CDIL Material: 2N2219A-CDI NPN THT transistors
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auf Bestellung 2491 Stücke  Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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 Hersteller: Solid State Inc. Description: NPN SIL TRANS TO39 Supplier Device Package: TO-39 Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Frequency - Transition: 300MHz Power - Max: 800mW DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Current - Collector (Ic) (Max): 800mA Transistor Type: NPN Part Status: Active Packaging: Box
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auf Bestellung 4440 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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 Hersteller: NTE Electronics, Inc Description: T-NPN SI- GEN PUR AMP Supplier Device Package: TO-39 Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Power - Max: 800mW DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Current - Collector (Ic) (Max): 800mA Transistor Type: NPN Packaging: Bag Part Status: Active
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auf Bestellung 375 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N2219A Hersteller: Microchip Technology Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
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auf Bestellung 71 Stücke Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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;%20;%203.jpg "2N2219A") Hersteller: Microchip Technology Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO-39 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Power - Max: 800mW DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 800mA Transistor Type: NPN Part Status: Active Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
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auf Bestellung 10 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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 Hersteller: Microchip Technology Bipolar Transistors - BJT BJTs
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auf Bestellung 1299 Stücke Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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 Hersteller: STMicroelectronics Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
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 Hersteller: Semelab Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 3-Pin TO-39
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 Hersteller: MULTICOMP PRO Description: MULTICOMP PRO - 2N2219A - Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 300 MHz, 400 mW, 800 mA, 35 hFE Transistor Polarity: NPN Product Range: - Power Dissipation Pd: 400 DC Current Gain hFE: 35 Operating Temperature Max: 200 Transistor Mounting: Through Hole MSL: - Automotive Qualification Standard: - DC Collector Current: 800 Transistor Case Style: TO-39 Transition Frequency ft: 300 No. of Pins: 3 Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 40 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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3924 Stücke |
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 Hersteller: Microchip Technology Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
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28 Stücke |
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 Hersteller: STMICROELECTRONICS Description: STMICROELECTRONICS - 2N2219A - Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 600 mA, 800 mW, TO-39, Through Hole Transistor Polarity: NPN Product Range: - Power Dissipation Pd: 800 DC Current Gain hFE: 300 Operating Temperature Max: 175 Transistor Mounting: Through Hole MSL: - Automotive Qualification Standard: - DC Collector Current: 600 Transistor Case Style: TO-39 Transition Frequency ft: 300 No. of Pins: 3 Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 40 SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
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2N2219A Hersteller: 2N2219A HIGH-SPEED SWITCHES, TO39
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2N2219A Hersteller: 2N2219A HIGH-SPEED SWITCHES, TO39
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2N2219A Hersteller: MICROSEMI TO-39/600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 2N2219 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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 Hersteller: Welwyn Components / TT Electronics Bipolar Transistors - BJT TRANS BI-POLAR POWER
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Hersteller: STMicroelectronics Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose
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Hersteller: TT Electronics - IoT Solutions Bipolar Transistors - BJT TRANS BI-POLAR POWER
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Hersteller: Rectron Bipolar Transistors - BJT TO-39
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2N2219A Hersteller: Rectron O-39 NPN SILICON PLANAR SWITCHING RF TransistorS
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2N2219A Hersteller: Semelab (TT electronics) Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 3-Pin TO-39
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Hersteller: Semelab / TT Electronics Bipolar Transistors - BJT TRANS BI-POLAR POWER
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Hersteller: onsemi Description: NPN MED PWR SS AMP TRANSISTOR Supplier Device Package: TO-39 Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Power - Max: 800mW DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Current - Collector (Ic) (Max): 800mA Transistor Type: NPN Part Status: Obsolete Packaging: Bulk
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 Hersteller: STMicroelectronics Description: TRANS NPN 30V 0.8A TO-39 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Supplier Device Package: TO-39 Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Current - Collector (Ic) (Max): 800mA Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Frequency - Transition: 250MHz Power - Max: 800mW DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Part Status: Obsolete Packaging: Tube Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
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Mit diesem Produkt kaufen
| T6,3*3,8*2,5C Kern Produktcode: 54730 |
Hersteller: China
Transformatoren, Netzfilter, Drosseln - Kerne, Rahmen, Klammern
Gruppe: Kern
Serie: T
Typ: Ring
Größe, Typ: 6,3/3,8/2,5
Beschreibung: ringförmig
Material: zerstäubt Eisen
32 Stück - lieferbar in 3-4 WochenTransformatoren, Netzfilter, Drosseln - Kerne, Rahmen, Klammern
Gruppe: Kern
Serie: T
Typ: Ring
Größe, Typ: 6,3/3,8/2,5
Beschreibung: ringförmig
Material: zerstäubt Eisen
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| TL081CP Produktcode: 47305 |
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Hersteller: TI
IC - IC Operationsverstärker
Gehäuse: PDIP-8
Vc, V: ±18V
BW, MHz: 3
Vio, mV(Biasspannung): 3
Temperaturbereich: 0...+70°C
15 Stück - stock KölnIC - IC Operationsverstärker
Gehäuse: PDIP-8
Vc, V: ±18V
BW, MHz: 3
Vio, mV(Biasspannung): 3
Temperaturbereich: 0...+70°C
38 Stück - erwartet
auf Bestellung 3619 Stück - Preis und Lieferfrist anzeigen
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| Möglichen Substitutionen |
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TL081CN Produktcode: 23425 |
| NIPPEL TO-3 Isolierhulse fur TO-3 Produktcode: 26110 |
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Elektronische Bauelemente und Systeme - Isoliermaterialien
Gruppe: Dichtungen, Schichtunterlage, Isolierhulse
Beschreibung: Isolierhulse fur TO-3
Größe: fuer Gehause TO-3
500 Stück - stock KölnGruppe: Dichtungen, Schichtunterlage, Isolierhulse
Beschreibung: Isolierhulse fur TO-3
Größe: fuer Gehause TO-3
182 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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| 220 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD) Produktcode: 11300 |
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Hersteller: 26632
Widerstande SMD - SMD-Widerstande 1206
Resistenz: Hitano
Präzision: 220 Ohm
P Nenn.,W: ±5% J
U Betriebs.,V: 0,25W
Größe Typ: 200V
Bemerkung: 1206
618 Stück - lieferbar in 3-4 WochenWiderstande SMD - SMD-Widerstande 1206
Resistenz: Hitano
Präzision: 220 Ohm
P Nenn.,W: ±5% J
U Betriebs.,V: 0,25W
Größe Typ: 200V
Bemerkung: 1206
15000 Stück - erwartet 30.01.2022
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