2N2219A Good-Ark Semiconductor
Hersteller: Good-Ark Semiconductor
Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 4.1 EUR |
| 10+ | 2.65 EUR |
| 100+ | 1.82 EUR |
| 500+ | 1.47 EUR |
| 1000+ | 1.35 EUR |
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Technische Details 2N2219A Good-Ark Semiconductor
Description: MULTICOMP PRO - 2N2219A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40V, 300MHz, 400mW, 800mA, 35hFE, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: TO-39, Dauerkollektorstrom: 800mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote 2N2219A nach Preis ab 1.1 EUR bis 8.79 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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2N2219A | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag |
auf Bestellung 307 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N2219A | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag |
auf Bestellung 307 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N2219A | Hersteller : MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N2219A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40V, 300MHz, 400mW, 800mA, 35hFE tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: TO-39 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3334 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N2219A | Hersteller : CDIL |
BIPOLAR TRANSISTORS NPN 50V 0.8A TO-39 2N2219A-CDI Bipolarny (BJT) tranz pojedynczy, NPN, 40V, 300MHz 400mW 800mA 20hFE 2N2219A T2N2219a Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N2219A | Hersteller : CDIL |
TO-39 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| 2N2219A | Hersteller : Central Semiconductor Corp. |
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,8, Uceo, В = 40, Ic = 800 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 250, hFE = 40 @ 150 мA, 10 В, Icutoff-max = 10 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -65...+200, Аналог КТ630Б,... Група товару: Транзистори К Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| 2N2219A | Hersteller : MICROSEMI |
TO-39/600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 2N2219 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| 2N2219A | Hersteller : STM |
TO-39 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N2219A | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N2219A | Hersteller : Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N2219A | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 0.8A TO-39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 800 mW |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N2219A | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 30V 0.8A TO-39 Packaging: Tube Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 800 mW |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N2219A | Hersteller : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| 2N2219A | Hersteller : onsemi |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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2N2219A | Hersteller : Rectron |
Bipolar Transistors - BJT TO-39 |
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2N2219A | Hersteller : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N2219A | Hersteller : CDIL |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.8/3W; TO39 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.8/3W Case: TO39 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 300MHz Current gain: 100...300 |
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2N2219A | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 800mA; 800mW; TO39 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.8A Case: TO39 Mounting: THT Frequency: 250MHz Power: 0.8W |
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