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2N2219A

2N2219A CDIL

2n2218a_19a.pdf
Hersteller: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.8/3W; TO39
Case: TO39
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 40V
Power dissipation: 0.8/3W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 100...300
Kind of package: bulk
Frequency: 300MHz
Collector current: 0.8A
auf Bestellung 2011 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
67+1.27 EUR
96+0.89 EUR
160+0.54 EUR
178+0.48 EUR
500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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Technische Details 2N2219A CDIL

Description: MULTICOMP PRO - 2N2219A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40V, 300MHz, 400mW, 800mA, 35hFE, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: TO-39, Dauerkollektorstrom: 800mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote 2N2219A nach Preis ab 1.3 EUR bis 14.51 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2N2219A 2N2219A MULTICOMP PRO 2861171.pdf Description: MULTICOMP PRO - 2N2219A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40V, 300MHz, 400mW, 800mA, 35hFE
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TO-39
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3334 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+4.7 EUR
103+2.27 EUR
127+1.69 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
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2N2219A 2N2219A Microchip Technology 2n2218-2n2219al-lds0091-mil-prf-19500-251.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+11.78 EUR
100+10.35 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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2N2219A 2N2219A Microchip Technology 2n2218-2n2219al-lds0091-mil-prf-19500-251.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 307 Stücke:
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15+11.78 EUR
100+10.58 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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2N2219A 2N2219A Microchip Technology 2N2218-2N2219AL-LDS0091-MIL-PRF-19500-251.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.21 EUR
100+11.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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2N2219A 2N2219A Microchip Technology 2N2218_2N2219AL_LDS0091_MIL_PRF_19500_251.pdf Bipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT
auf Bestellung 579 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.26 EUR
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2N2219A 2N2219A Microchip Technology 2n2218-2n2219al-lds0091-mil-prf-19500-251.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 335 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+14.51 EUR
25+13.83 EUR
50+13.41 EUR
100+13.02 EUR
250+12.74 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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2N2219A CDIL 2N2218-2N2219AL-LDS0091-MIL-PRF-19500-251.pdf BIPOLAR TRANSISTORS NPN 50V 0.8A TO-39 2N2219A-CDI Bipolarny (BJT) tranz pojedynczy, NPN, 40V, 300MHz 400mW 800mA 20hFE 2N2219A T2N2219a
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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2N2219A
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N2219A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40V, 300MHz, 400mW, 800mA, 35hFE
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
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euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TO-39
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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2N2219A 2n2218-2n2219al-lds0091-mil-prf-19500-251.pdf
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Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
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2N2219A 2n2218-2n2219al-lds0091-mil-prf-19500-251.pdf
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Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
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2N2219A
Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
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Bipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT
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Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 335 Stücke:
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BIPOLAR TRANSISTORS NPN 50V 0.8A TO-39 2N2219A-CDI Bipolarny (BJT) tranz pojedynczy, NPN, 40V, 300MHz 400mW 800mA 20hFE 2N2219A T2N2219a
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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