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2N2222AUB

2N2222AUB Microchip Technology

2n22212n2222aalauaabmil-prf-19500_255.pdf
Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 4-Pin Case UB Waffle
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Technische Details 2N2222AUB Microchip Technology

Description: TT ELECTRONICS / OPTEK TECHNOLOGY - 2N2222AUB - TRANSISTOR,BJT,NPN,40V V-BR-CEO,800MA IC SMT, tariffCode: 0, Transistormontage: Surface Mount, euEccn: Unknown, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung: 300mW, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 800mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: Unknown, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, directShipCharge: 25.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2N2222AUB 2N2222AUB Microchip Technology 2N2221A-2N2222A-00005314A-MIL-PRF-19500-255.pdf Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW 3 Pin CER Small-Signal BJT
auf Bestellung 9500 Stücke:
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2N2222AUB 2N2222AUB Microchip Technology 2n22212n2222aalauaabmil-prf-19500_255.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 4-Pin Case UB Waffle
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2N2222AUB 2N2222AUB Microchip Technology 2N2221A%2C%202N2222A.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.8A UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 11485 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.58 EUR
100+9.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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2N2222AUB 2N2222AUB Optek / TT Electronics 2N2222AUB.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN G.P. TRANSISTOR
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2N2222AUB 2N2222AUB Optek Technology (TT electronics) 2n2222aub.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 300mW 4-Pin LCC1 Waffle
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120+93.83 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
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2N2222AUB TT ELECTRONICS / OPTEK TECHNOLOGY 2N2221A%2C%202N2222A.pdf Description: TT ELECTRONICS / OPTEK TECHNOLOGY - 2N2222AUB - TRANSISTOR,BJT,NPN,40V V-BR-CEO,800MA IC SMT
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: Unknown
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: Unknown
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 110 Stücke
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2N2222AUB 2N2221A-2N2222A-00005314A-MIL-PRF-19500-255.pdf
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Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW 3 Pin CER Small-Signal BJT
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Description: TRANS NPN 50V 0.8A UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
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Bipolar Transistors - BJT NPN G.P. TRANSISTOR
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Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 300mW 4-Pin LCC1 Waffle
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Description: TT ELECTRONICS / OPTEK TECHNOLOGY - 2N2222AUB - TRANSISTOR,BJT,NPN,40V V-BR-CEO,800MA IC SMT
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: Unknown
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: Unknown
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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