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2N2222AUB

2N2222AUB Microchip Technology

2N2221A_2N2222A_00005314A_MIL_PRF_19500_255-3442193.pdf Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW 3 Pin CER Small-Signal BJT
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Technische Details 2N2222AUB Microchip Technology

Description: TRANS NPN 50V 0.8A CERAMIC SMD, Packaging: Bulk, Package / Case: 3-LCC, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 15mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1mA, 10V, Supplier Device Package: Ceramic SMD, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 300 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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2N2222AUB 2N2222AUB Hersteller : TT Electronics/Optek Technology 2N2222AUB.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.8A CERAMIC SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-LCC
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 15mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1mA, 10V
Supplier Device Package: Ceramic SMD
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
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2N2222AUB 2N2222AUB Hersteller : Optek Technology (TT electronics) 2n2222aub.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 300mW 4-Pin LCC1 Waffle
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2N2222AUB Hersteller : MICROSEMI 2N2221A%2C%202N2222A.pdf 2N2222AUB.pdf TO18/NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR 2N2222
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2N2222AUB 2N2222AUB Hersteller : Microchip Technology 2N2221A%2C%202N2222A.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.8A UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
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