2N2222AUB1 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 50V 0.8A UB
Packaging: Tray
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 142.7 EUR |
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Technische Details 2N2222AUB1 STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 50V 0.8A UB, Packaging: Tray, Package / Case: 3-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: UB, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 500 mW.
Weitere Produktangebote 2N2222AUB1 nach Preis ab 115.93 EUR bis 149.49 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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2N2222AUB1 | Hersteller : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT Rad-Hard 50 V, 0.8 A NPN transistor - Engineering model |
auf Bestellung 106 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2N2222AUB1 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 730mW 4-Pin LCC-3UB Tray |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N2222AUB1 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 730mW 4-Pin LCC-3UB Tray |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N2222AUB1 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 730mW 4-Pin LCC-3UB Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| 2N2222AUB1 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 730mW 4-Pin LCC-3UB Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |