2N2222AUB1 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT Rad-Hard 50 V, 0.8 A NPN transistor - Engineering model
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 236.39 EUR |
| 10+ | 221.1 EUR |
| 25+ | 211.69 EUR |
| 50+ | 209.09 EUR |
| 100+ | 205.58 EUR |
| 250+ | 201.99 EUR |
| 500+ | 201.94 EUR |
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Technische Details 2N2222AUB1 STMicroelectronics
Description: RAD-HARD 50 V, 0.8 A NPN TRANSIS, Packaging: Tray, Package / Case: 3-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: UB, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 500 mW.
Weitere Produktangebote 2N2222AUB1 nach Preis ab 113.12 EUR bis 155.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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| 2N2222AUB1 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 730mW 4-Pin LCC-3UB Tray |
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| 2N2222AUB1 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 730mW 4-Pin LCC-3UB Tray |
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| 2N2222AUB1 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: RAD-HARD 50 V, 0.8 A NPN TRANSIS Packaging: Tray Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW |
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| 2N2222AUB1 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 730mW 4-Pin LCC-3UB Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| 2N2222AUB1 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 730mW 4-Pin LCC-3UB Tray |
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