Technische Details 2N2369AUB Microchip Technology
Description: TRANS NPN 20V SMD, Packaging: Bulk, Package / Case: 3-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 400nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V, Supplier Device Package: UB, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Power - Max: 360 mW.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| 2N2369AUB | Microchip |
 TRANS NPN 20V SMD Транзистори |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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2N2369AUB | Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 20V SMD Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 400nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V Supplier Device Package: UB Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 360 mW |
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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2N2369AUB | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 20V 200mA 680mW 3 Pin CER Small-Signal BJT |
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| 2N2369AUB |
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Hersteller: Microchip
TRANS NPN 20V SMD Транзистори
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Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 20V SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: UB
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 360 mW
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Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V
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Bipolar Transistors - BJT 20V 200mA 680mW 3 Pin CER Small-Signal BJT
Bipolar Transistors - BJT 20V 200mA 680mW 3 Pin CER Small-Signal BJT
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