2N2905 CDIL
Hersteller: CDILCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.6A; 0.6/3W; TO39
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.6/3W
Case: TO39
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 200MHz
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| Anzahl | Preis |
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| 82+ | 0.87 EUR |
| 117+ | 0.61 EUR |
| 195+ | 0.37 EUR |
| 217+ | 0.33 EUR |
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Technische Details 2N2905 CDIL
Description: MULTICOMP PRO - 2N2905 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), hohe Schaltfrequenz, PNP, 40 V, 600 mA, 3 W, TO-39, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: TO-39, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro Switching PNP Transistor, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote 2N2905 nach Preis ab 0.33 EUR bis 4.15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||
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2N2905 | Hersteller : CDIL |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.6A; 0.6/3W; TO39 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.6/3W Case: TO39 Current gain: 100...300 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 200MHz |
auf Bestellung 2584 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N2905 | Hersteller : Good-Ark Semiconductor |
Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO-39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 600 mW |
auf Bestellung 975 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N2905 | Hersteller : MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N2905 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), hohe Schaltfrequenz, PNP, 40 V, 600 mA, 3 W, TO-39 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: TO-39 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Switching PNP Transistor Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1053 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N2905 Produktcode: 126070
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP Gehäuse: TO-39 fT: 200 MHz U, V: 40 V U, V: 60 V I, А: 0,6 A |
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2N2905 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 600mW 3-Pin TO-39 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N2905 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 600mW 3-Pin TO-39 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| 2N2905 | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO-39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 600 mW |
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2N2905 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW |
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2N2905 | Hersteller : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT |
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2N2905 | Hersteller : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT |
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| 2N2905 | Hersteller : onsemi |
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