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2N2907AUB

2N2907AUB Microchip Technology

2n2906a2n2907amilprf19500291.pdf
Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 4-Pin Case UB Waffle
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Technische Details 2N2907AUB Microchip Technology

Description: TRANS PNP 60V 0.6A UB, Packaging: Bulk, Package / Case: 3-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V, Supplier Device Package: UB, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 500 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2N2907AUB 2N2907AUB Microchip Technology 2n2906a2n2907amilprf19500291.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 4-Pin Case UB Waffle
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2N2907AUB 2N2907AUB Microchip Technology 2N2906A_2N2907A_MIL_PRF_19500_291.pdf Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP 3 Pin CER Small-Signal BJT
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2N2907AUB 2N2907AUB Microchip Technology 00005313A.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.6A UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
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2N2907AUB 2N2907AUB Microchip Technology 2n2906a2n2907amilprf19500291.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 4-Pin Case UB Waffle
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2N2907AUB 2N2907AUB TT Electronics/Optek Technology 2N2907AUB.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.6A CERAMIC SMD
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2N2907AUB 2N2907AUB Optek / TT Electronics 2N2907AUB.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP G.P. Transistor 3 Pin
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2N2907AUB 2N2907AUB Microchip Technology 2n2906a2n2907amilprf19500291.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 4-Pin Case UB Waffle
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