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2N2945AUB Microsemi

Hersteller: Microsemi
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT

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Technische Details 2N2945AUB Microsemi

Description: TRANS PNP 20V 0.1A UB, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 3-SMD, No Lead, Packaging: Bulk, Power - Max: 400 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Supplier Device Package: UB, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 500mV, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO).

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
	2N2945AUB	Microchip Technology	Description: TRANS PNP 20V 0.1A UB Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, No Lead Packaging: Bulk Power - Max: 400 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: UB DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 500mV Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

2N2945AUB

Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS PNP 20V 0.1A UB
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Packaging: Bulk
Power - Max: 400 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: UB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 500mV
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)

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