2N3019
Produktcode: 119528
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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2N3019 | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N3019 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 800 mW, TO-39, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: TO-39 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar NPN Single Transistor Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C |
auf Bestellung 2039 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3019 | Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA |
auf Bestellung 1338 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3019 | Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA |
auf Bestellung 1338 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3019 | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 800mW Small-Signal BJT THT |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N3019 | Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V Supplier Device Package: TO-5 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 800 mW |
auf Bestellung 520 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N3019 | CDIL |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 0.8/5W; TO39 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 0.8/5W Case: TO39 Current gain: 100...300 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 100MHz |
auf Bestellung 5375 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| 2N3019 | CDIL |
Transistor NPN; 300; 800mW, 80V; 1A; 100MHz, -65°C ~ 200°C; 2N3019-CDI 2N3019 T2N3019 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N3019 |
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Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N3019 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 800 mW, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: TO-39
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar NPN Single Transistor
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Description: MULTICOMP PRO - 2N3019 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 800 mW, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: TO-39
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar NPN Single Transistor
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
auf Bestellung 2039 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 37+ | 6.77 EUR |
| 47+ | 5.03 EUR |
| 100+ | 3.32 EUR |
| 500+ | 2.33 EUR |
| 1000+ | 1.67 EUR |
| 2N3019 |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA
auf Bestellung 1338 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 22.79 EUR |
| 2N3019 |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA
auf Bestellung 1338 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 22.79 EUR |
| 2N3019 |
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Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 800mW Small-Signal BJT THT
Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 800mW Small-Signal BJT THT
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 26.04 EUR |
| 100+ | 24.17 EUR |
| 2N3019 |
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Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 26.57 EUR |
| 100+ | 24.68 EUR |
| 2N3019 |
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Hersteller: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 0.8/5W; TO39
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.8/5W
Case: TO39
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 100MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 0.8/5W; TO39
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.8/5W
Case: TO39
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 5375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 2N3019 |
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Hersteller: CDIL
Transistor NPN; 300; 800mW, 80V; 1A; 100MHz, -65°C ~ 200°C; 2N3019-CDI 2N3019 T2N3019
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor NPN; 300; 800mW, 80V; 1A; 100MHz, -65°C ~ 200°C; 2N3019-CDI 2N3019 T2N3019
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 30+ | 1.43 EUR |