2N3019 Microchip Technology
Hersteller: Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 80V 1A TO-5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 546 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 23.46 EUR |
| 100+ | 21.79 EUR |
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Technische Details 2N3019 Microchip Technology
Description: MULTICOMP PRO - 2N3019 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 800 mW, TO-39, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: TO-39, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar NPN Single Transistor, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 400MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C.
Weitere Produktangebote 2N3019 nach Preis ab 0.43 EUR bis 27.93 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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2N3019 | Hersteller : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 800mW Small-Signal BJT THT |
auf Bestellung 277 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N3019 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA Bag |
auf Bestellung 107 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3019 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA Bag |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3019 | Hersteller : MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N3019 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 800 mW, TO-39, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: TO-39 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar NPN Single Transistor Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C |
auf Bestellung 2039 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N3019 | Hersteller : CDIL |
2N3019-CDI NPN THT transistors |
auf Bestellung 1767 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N3019 | Hersteller : Central Semiconductor |
Біполярний транзистор NPN TO-39-3 Metal Can Uceo=80V; Ic=1A; f=100MHz; Pdmax=0,8W; hfemin=100 |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3019 Produktcode: 119528
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN |
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2N3019 | Hersteller : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose |
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| 2N3019 | Hersteller : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT |
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2N3019 | Hersteller : Rectron |
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Planar Transistor |
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2N3019 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA Bag |
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2N3019 | Hersteller : Central Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39 Box |
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2N3019 | Hersteller : Rectron |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39 |
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2N3019 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA Bag |
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2N3019 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39 Bag |
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2N3019 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA Bag |
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2N3019 | Hersteller : Semelab |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-39 |
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| 2N3019 | Hersteller : Broadcom / Avago |
Bipolar Transistors - BJT |
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