2N3019
Produktcode: 119528
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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2N3019 | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N3019 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 800 mW, TO-39, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: TO-39 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar NPN Single Transistor Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C |
auf Bestellung 2039 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3019 | Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3019 | Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3019 | Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA |
auf Bestellung 190 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3019 | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 800mW Small-Signal BJT THT |
auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N3019 | Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-5 Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-5 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Packaging: Bulk |
auf Bestellung 546 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2N3019 |
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Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N3019 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 800 mW, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: TO-39
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar NPN Single Transistor
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Description: MULTICOMP PRO - 2N3019 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 800 mW, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: TO-39
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar NPN Single Transistor
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
auf Bestellung 2039 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 37+ | 6.77 EUR |
| 47+ | 5.03 EUR |
| 100+ | 3.32 EUR |
| 500+ | 2.33 EUR |
| 1000+ | 1.67 EUR |
| 2N3019 |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 70+ | 25.05 EUR |
| 2N3019 |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 70+ | 25.05 EUR |
| 2N3019 |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 29.46 EUR |
| 10+ | 28.99 EUR |
| 25+ | 28.1 EUR |
| 50+ | 27.2 EUR |
| 100+ | 24.87 EUR |
| 2N3019 |
|
Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 800mW Small-Signal BJT THT
Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 800mW Small-Signal BJT THT
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 26.04 EUR |
| 2N3019 |
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Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-5
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-5
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-5
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-5
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Packaging: Bulk
auf Bestellung 546 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 27.92 EUR |
| 100+ | 25.93 EUR |