2N3019S Microchip Technology
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| 6+ | 25.42 EUR |
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Technische Details 2N3019S Microchip Technology
Description: TRANS NPN 80V 1A TO39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V, Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 800 mW.
Weitere Produktangebote 2N3019S nach Preis ab 28.78 EUR bis 34.5 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||
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2N3019S | Hersteller : Microchip Technology |
 Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 800mW Small-Signal BJT THT |
auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N3019S | Hersteller : Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 80V 1A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 800 mW |
auf Bestellung 79 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N3019S | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39 Bag |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N3019S | Hersteller : MOT |
CAN |
auf Bestellung 7391 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| 2N3019S | Hersteller : ST/MOT |
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auf Bestellung 99900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N3019S | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |