2N3019S

2N3019S Microchip Technology


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Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 800mW Small-Signal BJT THT
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Technische Details 2N3019S Microchip Technology

Description: TRANS NPN 80V 1A TO39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V, Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 800 mW.

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2N3019S 2N3019S Microchip Technology lds-0185-4.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
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2N3019S 2N3019S Microchip Technology 125195-lds-0185-4-datasheet Description: TRANS NPN 80V 1A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
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Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
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Hersteller: ST/MOT
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