2N3055 (Bipolartransistor NPN) (STMicroelectronics) - Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN

2N3055 (Bipolartransistor NPN)

2N3055 (Bipolartransistor NPN)

Produktcode: 32410
Hersteller: STMicroelectronics
Gehäuse: TO-3
fT: 2.5 MHz
Uceo,V: 60
Ucbo,V: 100
Ic,A: 15
h21: 70

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Technische Details 2N3055 (Bipolartransistor NPN)

Preis 2N3055 (Bipolartransistor NPN) ab 0.56 EUR bis 4.51 EUR


Produktcode: 123799
Hersteller:
Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN

975277

2N3055
Hersteller: CYD
NPN 15A 60V 115W 1MHz Trans. 2N3055 TO3 T2N3055
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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auf Bestellung 20 Stücke
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2N3055
Hersteller: ARK
NPN 15A 60V 115W 1MHz Trans. 2N3055 TO3 T2N3055
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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auf Bestellung 1600 Stücke
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+ 1.34 EUR
2N3055
2N3055
Hersteller: Solid State Inc.
Description: NPN SIL TRANS TO3
Packaging: Box
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Supplier Device Package: TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Frequency - Transition: 2.5MHz
Power - Max: 115W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Part Status: Active
Transistor Type: NPN
Current - Collector (Ic) (Max): 15A
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N3055
Hersteller: NTE Electronics
Material: 2N3055-NTE NPN THT transistors
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auf Bestellung 68 Stücke
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28+ 2.63 EUR
31+ 2.33 EUR
38+ 1.92 EUR
40+ 1.82 EUR
2N3055
Hersteller: ISC

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28+ 2.98 EUR
37+ 2.57 EUR
153+ 2.36 EUR
393+ 2.21 EUR
2N3055
2N3055
Hersteller: NTE Electronics, Inc
Description: T-NPN SI- AF PO
Power - Max: 115W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
Packaging: Bag
Part Status: Active
Transistor Type: NPN
Current - Collector (Ic) (Max): 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 400mA, 4A
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
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20+ 4.05 EUR
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100+ 3.75 EUR
2N3055
2N3055
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Bag
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2N3055
2N3055
Hersteller:

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10 Stücke
2N3055
2N3055
Hersteller: Optek Technology
Trans GP BJT NPN 60V 15A 3-Pin(2+Tab) TO-3
2n3055.pdf
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2N3055
2N3055
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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2N3055
2N3055
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N3055 - Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 60 V, 15 A, 115 W, TO-3, Through Hole
Transistor Polarity: NPN
Product Range: Multicomp Pro Power NPN Transistor
Power Dissipation Pd: 115
DC Current Gain hFE: 20
Operating Temperature Max: 150
Transistor Mounting: Through Hole
MSL: -
Automotive Qualification Standard: -
DC Collector Current: 15
Transistor Case Style: TO-3
Transition Frequency ft: 2.5
No. of Pins: 3
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
2913467.pdf
3636 Stücke
2N3055
2N3055
Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 70V 15A 6000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
2n3055ne.pdf
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2N3055
Hersteller:
2N3055 TRANS NPN 15A 60V TO3
2N3055-ssi.pdf 2N3055,%20MJ2955.pdf 2N3055.pdf
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2N3055
2N3055
Hersteller: Welwyn Components / TT Electronics
Bipolar Transistors - BJT BACK OF CLASS
2N3055-1664869.pdf
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2N3055
2N3055
Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Power Switching
CD00000895-490764.pdf
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2N3055
2N3055
Hersteller: TT Electronics - IoT Solutions
Bipolar Transistors - BJT
SEMES08418_1-2565223.pdf
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2N3055
2N3055
Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
2N3055-ssi.pdf 2N3055,%20MJ2955.pdf 2N3055.pdf
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2N3055
2N3055
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP T03 NPN 15A 60V
2N3055_D-2309270.pdf
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2N3055
2N3055
Hersteller: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BIP T03 NPN 15A 60V
2N3055_D-2309270.pdf
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2N3055
Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 70V 15A 6000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
2N3055-ssi.pdf 2N3055,%20MJ2955.pdf 2N3055.pdf
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2N3055
2N3055
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 60V 15A TO-3
Supplier Device Package: TO-3
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Part Status: Obsolete
Transistor Type: NPN
Current - Collector (Ic) (Max): 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Power - Max: 115W
Packaging: Tray
2N3055,%20MJ2955.pdf
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2N3055
2N3055
Hersteller: Microchip Technology
Description: NPN POWER SILICON TRANSISTORS
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Power - Max: 6W
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70V
Current - Collector (Ic) (Max): 1mA
Transistor Type: NPN
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: TO-3
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4,7uF 100V ENR 8x12mm (ENR4R7M2AB-Hitano)
Produktcode: 15854
ENR_080611.pdf
4,7uF 100V ENR 8x12mm (ENR4R7M2AB-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren - Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 4,7uF
Nennspannung: 100V
Reihe: ENR-unpolare
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 8x12mm
8532 22 00 00
120 Stück - stock Köln
2854 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+ 0.08 EUR
10+ 0.06 EUR
100+ 0.043 EUR
1000+ 0.039 EUR
NE5532DR
Produktcode: 27082
suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fne5532 suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=http%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fne5532
NE5532DR
Hersteller: TI
IC - IC Operationsverstärker
Gehäuse: SOIC-8
Vc, V: ±15V
BW, MHz: 10
Vio, mV(Biasspannung): 0,5
Geschw. Nar., V/mks: 9
Temperaturbereich: -40…+85°C
Bemerkungen: Zahl Kanäle: 2
ZCODE: 8542319000
60 Stück - stock Köln
428 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
auf Bestellung 62761 Stück - Preis und Lieferfrist anzeigen
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10+ 0.16 EUR
100+ 0.14 EUR
1000+ 0.12 EUR