Technische Details 2N3108 MOTOROLA
Description: TRANS NPN 60V TO39, Power - Max: 800 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Supplier Device Package: TO-39, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA,1V, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Packaging: Bulk.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| 2N3108 | onsemi |
 Description: TRANS NPN 60V TO39Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Supplier Device Package: TO-39 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA,1V Current - Collector Cutoff (Max): 10nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Packaging: Bulk |
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| 2N3108 | onsemi |
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2N3108 | STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT |
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| 2N3108 | Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT |
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| 2N3108 |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 60V TO39
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Supplier Device Package: TO-39
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA,1V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Description: TRANS NPN 60V TO39
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Supplier Device Package: TO-39
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA,1V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
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Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
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| 2N3108 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT
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| 2N3108 |
|
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT
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