Technische Details 2N3108 MOTOROLA
Description: TRANS NPN 60V TO39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA,1V, Supplier Device Package: TO-39, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 800 mW.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| 2N3108 | onsemi |
 Description: TRANS NPN 60V TO39Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA,1V Supplier Device Package: TO-39 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW |
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| 2N3108 | onsemi |
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2N3108 | STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT |
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| 2N3108 | Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT |
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| 2N3108 |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 60V TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA,1V
Supplier Device Package: TO-39
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
Description: TRANS NPN 60V TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA,1V
Supplier Device Package: TO-39
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
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| 2N3108 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT
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| 2N3108 |
|
Hersteller: Toshiba
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