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2N3117 PBFREE

2N3117 PBFREE Central Semiconductor

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Hersteller: Central Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 0.05A 360mW 3-Pin TO-18
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Technische Details 2N3117 PBFREE Central Semiconductor

Description: TRANS NPN 60V 0.05A TO18, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Packaging: Bulk, Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA, Supplier Device Package: TO-18, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10µA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 100µA, 1mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Power - Max: 360 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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2N3117 PBFREE 2N3117 PBFREE Central Semiconductor 2N3117.PDF Bipolar Transistors - BJT NPN Low Lvl SS
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