Technische Details 2N3417 FSC
Description: TRANS NPN 50V 0.5A TO92-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 4.5V, Supplier Device Package: TO-92-3, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 625 mW.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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,TO-226_straightlead.jpg "2N3417") |
2N3417 | onsemi |
 Description: TRANS NPN 50V 0.5A TO92-3Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 4.5V Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW |
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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2N3417 | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose |
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2N3417 | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose |
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| 2N3417 |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.5A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 4.5V
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS NPN 50V 0.5A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 4.5V
Supplier Device Package: TO-92-3
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| 2N3417 |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
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| 2N3417 |
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Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
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