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2N3439 PBFREE

2N3439 PBFREE Central Semiconductor

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Hersteller: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN High Voltage
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Technische Details 2N3439 PBFREE Central Semiconductor

Description: TRANS NPN 350V 1A TO-39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2mA, 10V, Frequency - Transition: 15MHz, Supplier Device Package: TO-39, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V, Power - Max: 1 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2N3439 PBFREE 2N3439 PBFREE Central Semiconductor Corp 2N3439.PDF Description: TRANS NPN 350V 1A TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 1 W
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2N3439 PBFREE Central Semiconductor 2N3439.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 1A; 1W; TO39
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 1A
Case: TO39
Mounting: THT
Frequency: 15MHz
Power dissipation: 1W
Current gain: 30...160
Kind of package: bulk
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2N3439 PBFREE 2N3439 PBFREE Central Semiconductor 2n3439.pdf Trans GP BJT NPN 350V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Box
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2N3439 PBFREE
Hersteller: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS NPN 350V 1A TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 1 W
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Hersteller: Central Semiconductor
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 1A; 1W; TO39
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 1A
Case: TO39
Mounting: THT
Frequency: 15MHz
Power dissipation: 1W
Current gain: 30...160
Kind of package: bulk
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2N3439 PBFREE
Hersteller: Central Semiconductor
Trans GP BJT NPN 350V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Box
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