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2N3440

2N3440 ST

2n3440-datasheet.pdf
Produktcode: 112785
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Hersteller: ST
Gehäuse: TO-39
fT: 15 MHz
Uceo,V: 250 V
Ucbo,V: 300 V
Ic,A: 1 A
ZCODE: THT
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2N3440 2N3440 Hersteller : CDIL 2n3439_40.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 1A; 1/5W; TO39
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1/5W
Case: TO39
Current gain: 40...160
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 15MHz
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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80+0.9 EUR
99+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 80
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2N3440 2N3440 Hersteller : CDIL info-t2n3440.pdf NPN 1A 250V 1W 15MHz 2N3440 T2N3440
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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50+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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2N3440 2N3440 Hersteller : Harris Corporation LDS-0022_2N3439-40.pdf Description: TRANS NPN 250V 1A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 14983 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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19+23.49 EUR
Mindestbestellmenge: 19
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2N3440 2N3440 Hersteller : Microchip Technology lds-0022.pdf Trans GP BJT NPN 250V 1A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 20 Stücke:
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Anzahl Preis
5+30.8 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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2N3440 2N3440 Hersteller : Semelab (TT electronics) 2425742063979102n3439_40..pdf Trans GP BJT NPN 250V 1A 5000mW 3-Pin TO-39
auf Bestellung 3 Stücke:
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2N3440 2N3440 Hersteller : Semelab (TT electronics) 2425742063979102n3439_40..pdf Trans GP BJT NPN 250V 1A 5000mW 3-Pin TO-39
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2N3440 2N3440 Hersteller : MULTICOMP PRO LDS-0022_2N3439-40.pdf 2N3439%2C%202N3440.pdf Description: MULTICOMP PRO - 2N3440 - Hochspannungs-Bipolartransistor (BJT), einfach, planar, NPN, 250V, 1.2W, 800mA, TO-39
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TO-39
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistors
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 15MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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2N3440 Hersteller : HARRIS LDS-0022_2N3439-40.pdf 2N3439%2C%202N3440.pdf 2N3440
auf Bestellung 6103 Stücke:
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25+22.32 EUR
100+20.45 EUR
500+18.65 EUR
1000+16.95 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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2N3440 Hersteller : HARRIS LDS-0022_2N3439-40.pdf 2N3439%2C%202N3440.pdf 2N3440
auf Bestellung 8087 Stücke:
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25+22.32 EUR
100+20.45 EUR
500+18.65 EUR
1000+16.95 EUR
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2N3440 Hersteller : HARRIS LDS-0022_2N3439-40.pdf 2N3439%2C%202N3440.pdf 2N3440
auf Bestellung 757 Stücke:
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25+22.32 EUR
100+20.45 EUR
500+18.65 EUR
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2N3440 Hersteller : HARRIS LDS-0022_2N3439-40.pdf 2N3439%2C%202N3440.pdf 2N3440
auf Bestellung 36 Stücke:
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25+22.32 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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2N3440 2N3440 Hersteller : Microchip Technology lds-0022.pdf Trans GP BJT NPN 250V 1A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
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2N3440 Hersteller : Centralsemi LDS-0022_2N3439-40.pdf 2N3439%2C%202N3440.pdf TRANS NPN 250V TO-39 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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2N3440 Hersteller : MICROSEMI LDS-0022_2N3439-40.pdf 2N3439%2C%202N3440.pdf TO-39/1000 mA, 250 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 2N3440
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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2N3440 Hersteller : STM LDS-0022_2N3439-40.pdf 2N3439%2C%202N3440.pdf Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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2N3440 2N3440 Hersteller : Microchip Technology LDS-0022_2N3439-40.pdf Description: TRANS NPN 250V 1A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 800 mW
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2N3440 2N3440 Hersteller : Microchip Technology lds-0022.pdf Trans GP BJT NPN 250V 1A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
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2N3440 2N3440 Hersteller : onsemi LDS-0022_2N3439-40.pdf 2N3439%2C%202N3440.pdf Description: TRANS NPN 250V 1A TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
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2N3440 2N3440 Hersteller : STMicroelectronics 2N3439%2C%202N3440.pdf Description: TRANS NPN 250V 1A TO-39
Packaging: Tube
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 1 W
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2N3440 2N3440 Hersteller : Microchip Technology LDS-0022_2N3439-40.pdf Bipolar Transistors - BJT 250V 1A 800mW Power BJT THT
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Typ: 1 Transit Offen. Basis
U-isol, kV: 7.5
I-ein/ I-ausg, mA: 60/150
U ausg, V: 30
Ton/Toff, µs: 2.8/4.5
Роб.темп.,°С: -55…+125°C
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1+0.29 EUR
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Gehäuse: TO-18
fT: 100 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 140 V
Ic,A: 1 A
ZCODE: THT
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Gehäuse: TO-18
fT: 200 MHz
Uceo,V: 60
Ucbo,V: 60
Ic,A: 0,6
h21: 150
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