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2N3506A


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Technische Details 2N3506A

Description: TRANS NPN 40V 3A TO-39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 1V, Supplier Device Package: TO-39, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 1 W.

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2N3506A 2N3506A Hersteller : Microchip Technology lds-0016.pdf Trans GP BJT NPN 40V 3A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
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2N3506A 2N3506A Hersteller : Microchip Technology 124336-lds-0016-datasheet Description: TRANS NPN 40V 3A TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 1V
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2N3506A 2N3506A Hersteller : Microchip Technology LDS_0016_2N3506_07A-3442666.pdf Bipolar Transistors - BJT 40V 3A 1W Power BJT THT
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