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2N3013Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
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2N3014onsemiDescription: TRANS NPN 20V 0.2A TO-52-3
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2N3014MOTOROLA
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2N3014 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Fast SW
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2N3016MOTOROLA
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2N3016Microchip TechnologyDescription: SMALL-SIGNAL BJT
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2N3016Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
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2N3017Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N3017MOTOROLA
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2N3018Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT NPN Transistor
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2N3019Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA
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 Mindestbestellmenge: 49 Stücke
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2N3019MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N3019 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 800 mW, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: TO-39
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar NPN Single Transistor
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
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37+6.77 EUR
47+5.03 EUR
100+3.32 EUR
500+2.33 EUR
1000+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
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2N3019CentralsemiTRANSISTOR NPN 140V 1A TO-39 Транзистори
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2N3019Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA
auf Bestellung 1338 Stücke:
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8+22.79 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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2N3019STMTRANSISTOR NPN 140V 1A TO-39 Транзистори
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2N3019NTE ElectronicsCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 5W; TO5
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 5W
Case: TO5
Current gain: 80...400
Mounting: THT
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2N3019Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 80V 1A TO-5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 520 Stücke:
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1+26.57 EUR
100+24.68 EUR
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2N3019RectronBipolar Transistors - BJT NPN Silicon Planar Transistor
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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2N3019Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA
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8+22.79 EUR
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2N3019
Produktcode: 119528
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2N3019Central SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39 Box
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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2N3019CDILTRANSISTOR NPN 140V 1A TO-39 Транзистори
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2N3019Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 80V 1A 800mW Small-Signal BJT THT
auf Bestellung 10 Stücke:
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1+26.04 EUR
100+24.17 EUR
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2N3019Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N3019CDILTransistor NPN; 300; 800mW, 80V; 1A; 100MHz, -65°C ~ 200°C; 2N3019-CDI 2N3019 T2N3019
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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2N3019CDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 0.8/5W; TO39
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.8/5W
Case: TO39
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 5375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N3019STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 80V 1A TO-39
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2N3019STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN General Purpose
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2N3019 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39 Box
auf Bestellung 984 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+2.39 EUR
100+2.27 EUR
500+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
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2N3019 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39 Box
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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2N3019 PBFREECentral SemiconductorCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 0.8W; TO39
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.8W
Case: TO39
Current gain: 15...300
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N3019 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 80V 1A TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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2N3019 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
auf Bestellung 21656 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.31 EUR
10+3.28 EUR
100+2.67 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.24 EUR
5000+1.93 EUR
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2N3019 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39 Box
auf Bestellung 984 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
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2N3019 TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 80V 1A 800MW TH TRANSISTOR-SMALL
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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2N3019 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 140Vcbo 80Vceo 7.0V 1.0A 0.8W
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3019 TIN/LEADCentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3019/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3019/TRMicrochip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N3019AMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 800mW
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Power dissipation: 0.8W
Mounting: THT
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 Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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2N3019AMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 80V 1A 800mW Small-Signal BJT THT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N3019AMicrochip TechnologyLow Power NPN Silicon Transistor 80V 1A
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N3019A
auf Bestellung 12540 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N3019AMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 80V 1A TO-5AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5AA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N3019CSMSemelab / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT
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2N3019CSMSemelab (TT electronics)Trans GP BJT NPN 80V 1A 500mW 3-Pin CLLCC-1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N3019DIE2HRSTMicroelectronicsArray
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2N3019DIE2SSTMicroelectronicsArray
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2N3019E3Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N3019E3Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 80V 1A TO-5AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5AA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N3019E3Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 57 Stücke
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2N3019E3MICROCHIP TECHNOLOGYCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 800mW
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Power dissipation: 0.8W
Mounting: THT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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2N3019E3Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 80V 1A 800mW Lead-Free Small-Signal BJT THT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3019JANSemicoa SemiconductorsTrans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-5
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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2N3019JANTXSemicoa SemiconductorsTrans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-5
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 175 Stücke
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2N3019PMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 800mW
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Power dissipation: 0.8W
Mounting: THT
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 Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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2N3019PMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 80V 1A 800mW PinD Small-Signal BJT THT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N3019PMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 80V 1A TO-5AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5AA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
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2N3019PMicrochip TechnologyNPN Silicon Low-Power 80V GP BJT
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2N3019SMicrochip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
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2N3019SMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 80V 1A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
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