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| Anzahl | Preis |
|---|---|
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Technische Details 2N3599 GENERAL SEMI GSI
Description: POWER BJT, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-211MB, TO-63-4, Stud, Mounting Type: Stud Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Supplier Device Package: TO-63, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 100 W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| 2N3599 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-211MB, TO-63-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Supplier Device Package: TO-63 Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 100 W |
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| 2N3599 | Hersteller : Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
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