| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1114.68 EUR |
| 25+ | 1076.78 EUR |
| 100+ | 1010.39 EUR |
| 500+ | 945.88 EUR |
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Technische Details 2N3599 GENERAL SEMI GSI
Description: POWER BJT, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-211MB, TO-63-4, Stud, Mounting Type: Stud Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Supplier Device Package: TO-63, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 100 W.
Weitere Produktangebote 2N3599
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N3599 | Microchip Technology |
Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-211MB, TO-63-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Supplier Device Package: TO-63 Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 100 W |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| 2N3599 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2N3599 |
Hersteller: Microchip Technology
Description: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-211MB, TO-63-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Supplier Device Package: TO-63
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 100 W
Description: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-211MB, TO-63-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Supplier Device Package: TO-63
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 100 W
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 2N3599 |
Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
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