2N3634 Microchip Technology
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Technische Details 2N3634 Microchip Technology
Description: TRANS PNP 140V 1A TO-39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V, Supplier Device Package: TO-39, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V, Power - Max: 1 W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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2N3634 | Microchip Technology |
 Description: TRANS PNP 140V 1A TO-39Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 1 W |
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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2N3634 | Microchip / Microsemi |
Bipolar Transistors - BJT BJTs |
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2N3634 | Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 140V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 |
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| 2N3634 |
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Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS PNP 140V 1A TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS PNP 140V 1A TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
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| 2N3634 |
|
Hersteller: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT BJTs
Bipolar Transistors - BJT BJTs
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Stück im Wert von UAH
| 2N3634 |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT PNP 140V 1A 1000mW 3-Pin TO-39
Trans GP BJT PNP 140V 1A 1000mW 3-Pin TO-39
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