2N3636 Microchip Technology
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 18.06 EUR |
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Technische Details 2N3636 Microchip Technology
Description: TRANS PNP 175V 1A TO39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V, Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD), Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V, Power - Max: 1 W.
Weitere Produktangebote 2N3636
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| 2N3636 | Hersteller : MOT |
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auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| 2N3636 | Hersteller : MOT |
00+ TO-3P |
auf Bestellung 57 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| 2N3636 | Hersteller : MOT |
CAN |
auf Bestellung 987 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N3636 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 175V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N3636 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: TRANS PNP 175V 1A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V Power - Max: 1 W |
Produkt ist nicht verfügbar |