2N3637 Microchip Technology
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Technische Details 2N3637 Microchip Technology
Description: MULTICOMP PRO - 2N3637 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 175 V, 1 A, 5 W, TO-39, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: TO-39, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar PNP Transistors, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 175V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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2N3637 | Hersteller : MULTICOMP PRO |
 Description: MULTICOMP PRO - 2N3637 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 175 V, 1 A, 5 W, TO-39, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: TO-39 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar PNP Transistors Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 175V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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| 2N3637 | Hersteller : MOT |
CAN |
auf Bestellung 458 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| 2N3637 | Hersteller : MOT |
SOT323 |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| 2N3637 | Hersteller : MOTOROLA |
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auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N3637 | Hersteller : Semelab (TT electronics) |
Trans GP BJT PNP 175V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 |
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2N3637 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 175V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N3637 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 175V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N3637 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: TRANS PNP 175V 1A TO-39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V Power - Max: 1 W |
Produkt ist nicht verfügbar |