2N3700 CDIL
Hersteller: CDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 0.5/1.8W; TO18
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.5/1.8W
Case: TO18
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 100...400MHz
auf Bestellung 1925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 71+ | 1.02 EUR |
| 106+ | 0.67 EUR |
| 177+ | 0.4 EUR |
| 209+ | 0.34 EUR |
| 221+ | 0.32 EUR |
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Technische Details 2N3700 CDIL
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-18, Packaging: Tube, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-18, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 500 mW.
Weitere Produktangebote 2N3700 nach Preis ab 0.32 EUR bis 10.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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2N3700 | Hersteller : CDIL |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 0.5/1.8W; TO18 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 0.5/1.8W Case: TO18 Current gain: 100...300 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 100...400MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1925 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N3700 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 500 mW |
auf Bestellung 204 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N3700 | Hersteller : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 500mW Small-Signal BJT THT |
auf Bestellung 937 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N3700 | Hersteller : Microsemi |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 500mW 3-Pin TO-18 Bag |
auf Bestellung 43 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3700 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 500mW 3-Pin TO-18 Bag |
auf Bestellung 270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3700 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 500mW 3-Pin TO-18 Bag |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3700 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 500mW 3-Pin TO-18 Bag |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3700 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 500mW 3-Pin TO-18 Bag |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3700 | Hersteller : MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N3700 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 500 mW, TO-18, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 300 MSL: - Verlustleistung Pd: 500 Übergangsfrequenz ft: 400 Bauform - Transistor: TO-18 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 1 Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 74 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N3700 | Hersteller : STMicroelectronics NV |
NPN 80V 1A TO-18 |
auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3700 Produktcode: 173155
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Gehäuse: TO-18 fT: 100 MHz Uceo,V: 80 V Ucbo,V: 140 V Ic,A: 1 A ZCODE: THT |
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| 2N3700 | Hersteller : Semelab / TT Electronics |
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| 2N3700 | Hersteller : Ignion |
Bipolar Transistors - BJT |
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2N3700 | Hersteller : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N3700 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 500mW 3-Pin TO-18 Bag |
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2N3700 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-18 Packaging: Tube Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-18 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 500 mW |
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2N3700 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 500mW 3-Pin TO-18 Bag |
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2N3700 | Hersteller : Semelab (TT electronics) |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-18 |
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2N3700 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 500mW 3-Pin TO-18 Bag |
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2N3700 | Hersteller : Semelab |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-18 |
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| 2N3700 | Hersteller : MICROSEMI |
TO-18/1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 2N3700 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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