2N3702 TIN/LEAD Central Semiconductor Corp
Hersteller: Central Semiconductor Corp
Description: 25V 200MA 360MW TH TRANSISTOR-SM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50µA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Box
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 100MHz
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details 2N3702 TIN/LEAD Central Semiconductor Corp
Description: 25V 200MA 360MW TH TRANSISTOR-SM, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50µA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, Transistor Type: PNP, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Packaging: Box, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Frequency - Transition: 100MHz.
Weitere Produktangebote 2N3702 TIN/LEAD
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2N3702 TIN/LEAD | Central Semiconductor |
 Bipolar Transistors - BJT PNP 40Vcbo 25Vceo 5.0Vebo 12pF |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2N3702 TIN/LEAD |
|
Hersteller: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP 40Vcbo 25Vceo 5.0Vebo 12pF
Bipolar Transistors - BJT PNP 40Vcbo 25Vceo 5.0Vebo 12pF
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH