2N3704 TIN/LEAD Central Semiconductor Corp
Hersteller: Central Semiconductor Corp
Description: 30V 800MA 625MW TH TRANSISTOR-SM
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Box
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Technische Details 2N3704 TIN/LEAD Central Semiconductor Corp
Description: 30V 800MA 625MW TH TRANSISTOR-SM, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Frequency - Transition: 100MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Packaging: Box.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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2N3704 TIN/LEAD | Central Semiconductor |
 Bipolar Transistors - BJT NPN 30V 800mA HFE/300 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2N3704 TIN/LEAD |
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Hersteller: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN 30V 800mA HFE/300
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Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH