2N3714 NTE Electronics, Inc
Hersteller: NTE Electronics, Inc
Description: TRANS NPN 80V 10A TO3
Power - Max: 150 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3
Frequency - Transition: 4MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bag
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6+ | 3.17 EUR |
| 10+ | 3.01 EUR |
| 20+ | 2.85 EUR |
| 50+ | 2.69 EUR |
| 100+ | 2.62 EUR |
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Technische Details 2N3714 NTE Electronics, Inc
Description: TRANS NPN 80V 10A TO3, Power - Max: 150 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-3, Frequency - Transition: 4MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Packaging: Bag.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
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2N3714 | STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2N3714 | Toshiba |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2N3714 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT
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