2N3715

2N3715 Microchip / Microsemi


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Hersteller: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
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Technische Details 2N3715 Microchip / Microsemi

Description: TRANS NPN 60V 0.001A TO3, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 mA, Supplier Device Package: TO-3, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2A, 10A, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Packaging: Bulk, Power - Max: 5 W.

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2N3715 MOT
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