Technische Details 2N3737 MOTOROLA
Description: TRANS NPN 40V 1.5A TO-46-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 1.5V, Supplier Device Package: TO-46-3, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 500 mW.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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2N3737 | Microchip Technology |
 Description: TRANS NPN 40V 1.5A TO-46-3Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 1.5V Supplier Device Package: TO-46-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 500 mW |
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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2N3737 | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT BJTs |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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2N3737 | Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 40V 1.5A 500mW 3-Pin TO-46 Bag |
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2N3737 | Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 40V 1.5A 500mW 3-Pin TO-46 Bag |
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| 2N3737 |
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Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 40V 1.5A TO-46-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 1.5V
Supplier Device Package: TO-46-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 40V 1.5A TO-46-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 1.5V
Supplier Device Package: TO-46-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 500 mW
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| 2N3737 |
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Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT BJTs
Bipolar Transistors - BJT BJTs
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Stück im Wert von UAH
| 2N3737 |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 40V 1.5A 500mW 3-Pin TO-46 Bag
Trans GP BJT NPN 40V 1.5A 500mW 3-Pin TO-46 Bag
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 2N3737 |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 40V 1.5A 500mW 3-Pin TO-46 Bag
Trans GP BJT NPN 40V 1.5A 500mW 3-Pin TO-46 Bag
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