2N3740U4 Microchip Technology
Hersteller: Microchip Technology
Description: POWER BJT
Power - Max: 25 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: U4
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 125mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Packaging: Bulk
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Technische Details 2N3740U4 Microchip Technology
Description: POWER BJT, Power - Max: 25 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Supplier Device Package: U4, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 1V, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 125mA, 1A, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 3-SMD, No Lead, Packaging: Bulk.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N3740U4 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 60V 4A 25W NPN Power BJT THT |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2N3740U4 |
Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 60V 4A 25W NPN Power BJT THT
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Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
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