2N3749 Microchip Technology
Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 80V 5A TO111
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: TO-111
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Stud Mount
Package / Case: TO-111-4, Stud
Packaging: Bulk
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Technische Details 2N3749 Microchip Technology
Description: TRANS NPN 80V 5A TO111, Power - Max: 2 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Supplier Device Package: TO-111, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 20µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Stud Mount, Package / Case: TO-111-4, Stud, Packaging: Bulk.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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2N3749 | Microchip Technology |
 Bipolar Transistors - BJT 80 5W 2A NPN Power BJT |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 80 5W 2A NPN Power BJT
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH