2N3791 Microchip Technology
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Technische Details 2N3791 Microchip Technology
Description: TRANS PNP 60V 10A TO3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2A, 10A, Current - Collector Cutoff (Max): 5mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3A, 2V, Supplier Device Package: TO-3 (TO-204AA), Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 5 W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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2N3791 | Microchip Technology |
 Description: TRANS PNP 60V 10A TO3Packaging: Bulk Package / Case: TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3A, 2V Supplier Device Package: TO-3 (TO-204AA) Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 5 W |
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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2N3791 | STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT |
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2N3791 | Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 60V 10A 5000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
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| 2N3791 |
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Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS PNP 60V 10A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3A, 2V
Supplier Device Package: TO-3 (TO-204AA)
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 5 W
Description: TRANS PNP 60V 10A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3A, 2V
Supplier Device Package: TO-3 (TO-204AA)
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 5 W
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| 2N3791 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT
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Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT PNP 60V 10A 5000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
Trans GP BJT PNP 60V 10A 5000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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