2N3810U Microchip Technology
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Technische Details 2N3810U Microchip Technology
Description: TRANS 2PNP 60V 50MA TO-78-6, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-78-6 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Power - Max: 350mW, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V, Supplier Device Package: TO-78-6, Part Status: Active.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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2N3810U | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans GP BJT PNP 60V 0.05A 600mW 6-Pin Case U Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N3810U | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 60V 0.05A 350mW 6-Pin Case U Bag |
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| 2N3810U | Hersteller : MICROSEMI |
(NONE)PNP DUAL TRANSISTORS Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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2N3810U | Hersteller : Microchip Technology |
Description: TRANS 2PNP 60V 50MA TO-78-6 Packaging: Bulk Package / Case: TO-78-6 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: TO-78-6 Part Status: Active |
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