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Technische Details 2N3819 NTE Electronics, Inc.
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 20mA; 360mW; TO92, Type of transistor: N-JFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 25V, Drain current: 20mA, Power: 0.36W, Case: TO92, Mounting: THT.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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| 2N3819 |
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2N3819 Produktcode: 26518 |
Hersteller : FS |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-92 Uds,V: 25 Idd,A: 0.025 Ciss, pF/Qg, nC: 8/ - Bem.: 450 mHz JHGF: THT |
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2N3819 | Hersteller : Fairchild Semiconductor |
RF Power Field Effect Transistor |
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2N3819 | Hersteller : ON Semiconductor |
RF Power Field Effect Transistor |
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2N3819 | Hersteller : Central Semiconductor Corp |
Description: RF MOSFET JFET 25V TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Configuration: N-Channel Technology: JFET Supplier Device Package: TO-92-3 Voltage - Rated: 25 V |
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| 2N3819 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
JFET N-CH -25V 10mA BULK |
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2N3819 | Hersteller : onsemi |
JFET 25V 10mA |
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2N3819 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 20mA; 360mW; TO92 Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 20mA Power: 0.36W Case: TO92 Mounting: THT |
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