2N3850 Microchip Technology
Hersteller: Microchip Technology
Description: POWER BJT
Mounting Type: Stud Mount
Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud
Packaging: Bulk
Power - Max: 40 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: TO-59
Frequency - Transition: 20MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Transistor Type: NPN
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Technische Details 2N3850 Microchip Technology
Description: POWER BJT, Mounting Type: Stud Mount, Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud, Packaging: Bulk, Power - Max: 40 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Supplier Device Package: TO-59, Frequency - Transition: 20MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 1V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Transistor Type: NPN.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N3850 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2N3850 |
Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
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