Technische Details 2N3867 MOTOROLA
Description: TRANS PNP 40V 0.003A TO5, Packaging: Bulk, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1.5A, 2V, Supplier Device Package: TO-5, Current - Collector (Ic) (Max): 3 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 1 W.
Weitere Produktangebote 2N3867
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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2N3867 | Microchip Technology |
 Trans GP BJT PNP 40V 0.003A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2N3867 | Microchip Technology |
Description: TRANS PNP 40V 0.003A TO5 Packaging: Bulk Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1.5A, 2V Supplier Device Package: TO-5 Current - Collector (Ic) (Max): 3 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1 W |
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| 2N3867 | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 40V 3mA 1W Power BJT THT |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2N3867 |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT PNP 40V 0.003A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag
Trans GP BJT PNP 40V 0.003A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag
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| 2N3867 |
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Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS PNP 40V 0.003A TO5
Packaging: Bulk
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1.5A, 2V
Supplier Device Package: TO-5
Current - Collector (Ic) (Max): 3 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS PNP 40V 0.003A TO5
Packaging: Bulk
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1.5A, 2V
Supplier Device Package: TO-5
Current - Collector (Ic) (Max): 3 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
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| 2N3867 |
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Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 40V 3mA 1W Power BJT THT
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