2N3867S Microchip Technology
Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS PNP 40V 0.003A TO39
Packaging: Bulk
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1.5A, 2V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details 2N3867S Microchip Technology
Description: TRANS PNP 40V 0.003A TO39, Packaging: Bulk, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1.5A, 2V, Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD), Current - Collector (Ic) (Max): 3 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 1 W.
Weitere Produktangebote 2N3867S
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N3867S | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 40V 3mA 1W Short-Lead Power BJT THT |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2N3867S |
|
Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 40V 3mA 1W Short-Lead Power BJT THT
Bipolar Transistors - BJT 40V 3mA 1W Short-Lead Power BJT THT
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH