2N3868 Solid State Inc.
Hersteller: Solid State Inc.
Description: TRANS PNP 60V TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details 2N3868 Solid State Inc.
Description: TRANS PNP 60V 0.003A TO5, Power - Max: 1 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Current - Collector (Ic) (Max): 3 mA, Supplier Device Package: TO-5, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 1.5A, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Through Hole, Packaging: Bulk.
Weitere Produktangebote 2N3868 nach Preis ab 33.84 EUR bis 33.84 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2N3868 | Hersteller : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 60V 3mA 1W Power BJT THT |
auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||
| 2N3868 | Hersteller : MOTOROLA |
|
auf Bestellung 12850 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||
 |
2N3868 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 60V 0.003A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||
| 2N3868 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: TRANS PNP 60V 0.003A TO5 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 mA Supplier Device Package: TO-5 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 1.5A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Packaging: Bulk |
Produkt ist nicht verfügbar |