2N3868S

2N3868S Microchip Technology


2n386-2n3868s-lds-0170-mil-prf-19500-350.pdf Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT PNP 60V 0.003A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
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Technische Details 2N3868S Microchip Technology

Description: TRANS PNP 60V 0.003A TO39, Packaging: Bulk, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 1.5A, 2V, Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD), Current - Collector (Ic) (Max): 3 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1 W.

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2N3868S 2N3868S Hersteller : Microchip Technology 77282-lds-0170-datasheet Description: TRANS PNP 60V 0.003A TO39
Packaging: Bulk
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 1.5A, 2V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
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2N3868S Hersteller : Microchip Technology 2N386__2b2N3868S_LDS_0170_MIL_PRF_19500_350-3499845.pdf Bipolar Transistors - BJT Power BJT
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