2N3904BU ON Semiconductor
Hersteller: ON Semiconductor2N3904BU NPN Transistor in a TO-92 package, maximum power dissipation of 625 mW, and an operating temperature range of -55°C to +150°C.
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Technische Details 2N3904BU ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 2N3904BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 200mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote 2N3904BU nach Preis ab 0.046 EUR bis 0.44 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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2N3904BU | Hersteller : ON Semiconductor |
2N3904BU NPN Transistor in a TO-92 package, maximum power dissipation of 625 mW, and an operating temperature range of -55°C to +150°C. |
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2N3904BU | Hersteller : ON Semiconductor |
2N3904BU NPN Transistor in a TO-92 package, maximum power dissipation of 625 mW, and an operating temperature range of -55°C to +150°C. |
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2N3904BU | Hersteller : ON Semiconductor |
2N3904BU NPN Transistor in a TO-92 package, maximum power dissipation of 625 mW, and an operating temperature range of -55°C to +150°C. |
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2N3904BU | Hersteller : ON Semiconductor |
2N3904BU NPN Transistor in a TO-92 package, maximum power dissipation of 625 mW, and an operating temperature range of -55°C to +150°C. |
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2N3904BU | Hersteller : ON Semiconductor |
2N3904BU NPN Transistor in a TO-92 package, maximum power dissipation of 625 mW, and an operating temperature range of -55°C to +150°C. |
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2N3904BU | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 1.5W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 1.5W Case: TO92 Current gain: 100...300 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 300MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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2N3904BU | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 1.5W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 1.5W Case: TO92 Current gain: 100...300 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 300MHz |
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2N3904BU | Hersteller : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose |
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2N3904BU | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 0.2A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW |
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2N3904BU | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N3904BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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2N3904BU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 Bulk |
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| 2N3904BU | Hersteller : Fairchild/ON Semiconductor |
Транзистор NPN; Uceo, В = 40; Ic = 200 мА; ft, МГц = 300; hFE = 100...300 @ Ic = 10 mA, Uce = 1 V; Icutoff-max = 50 нА; Р, Вт = 0,625 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = вивідний; TO-92-3 |
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| 2N3904BU | Hersteller : ON-Semicoductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 2N3904TA 2N3904BU T2N3904 ONS |
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