2N3904TAR ON Semiconductor
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Technische Details 2N3904TAR ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 2N3904TAR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: TO-92, Dauerkollektorstrom: 200mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||||
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2N3904TAR | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
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2N3904TAR | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
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2N3904TAR | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
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2N3904TAR | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 0.2A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW |
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2N3904TAR | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
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2N3904TAR | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
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2N3904TAR | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose |
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2N3904TAR | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 0.2A TO-92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW |
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2N3904TAR | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N3904TAR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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2N3904TAR | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 1.5W; TO92 Formed Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 1.5W Case: TO92 Formed Current gain: 100...300 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 300MHz |
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