2N3906TAR ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 3145+ | 0.045 EUR |
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Technische Details 2N3906TAR ON Semiconductor
Description: TRANS PNP 40V 0.2A TO-92-3, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 625 mW.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||||||
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2N3906TAR | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
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2N3906TAR | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
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2N3906TAR | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
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2N3906TAR | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
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2N3906TAR | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 40V 0.2A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW |
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2N3906TAR | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
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2N3906TAR | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
auf Bestellung 8579 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3906TAR | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 40V 0.2A TO-92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW |
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2N3906TAR | Hersteller : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose |
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2N3906TAR | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
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2N3906TAR | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
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| 2N3906TAR | Hersteller : Fairchild/ON Semiconductor |
Транзистор PNP; Uceo, В = 40; Ic = 200 мА; ft, МГц = 250; hFE = 200 @ 10 мА, -1 В; Icutoff-max = -50; Р, Вт = 0,625 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = вивідний; TO-92-3 |
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2N3906TAR | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
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2N3906TAR | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N3906TAR | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Current gain: 100...300 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 250MHz |
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