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2N3906TAR

2N3906TAR ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
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Technische Details 2N3906TAR ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 40V 0.2A TO-92-3, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 625 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2N3906TAR 2N3906TAR ON Semiconductor pzt3906-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
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Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
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2N3906TAR 2N3906TAR onsemi 2N3906-D.PDF Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose
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Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
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2N3906TAR Fairchild/ON Semiconductor 2N3906-888380.pdf Транзистор PNP, Uceo, В = 40, Ic = 200 мА, ft, МГц = 250, hFE = 200 @ 10 мА, -1 В, Icutoff-max = -50, Р, Вт = 0,625 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
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Транзистор PNP, Uceo, В = 40, Ic = 200 мА, ft, МГц = 250, hFE = 200 @ 10 мА, -1 В, Icutoff-max = -50, Р, Вт = 0,625 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
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