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2N4393-E3 Vishay Siliconix

Hersteller: Vishay Siliconix
JFET N-ch. TO-18=TO-206AA Транзистори

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Technische Details 2N4393-E3 Vishay Siliconix

Description: JFET N-CH 40V TO206AA, Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 20 V, Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 500 mV @ 1 nA, Resistance - RDS(On): 100 Ohms, Power - Max: 1.8 W, Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18), Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V, FET Type: N-Channel, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Packaging: Bulk.

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
	2N4393-E3	Vishay Siliconix	Description: JFET N-CH 40V TO206AA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 20 V Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 500 mV @ 1 nA Resistance - RDS(On): 100 Ohms Power - Max: 1.8 W Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V FET Type: N-Channel Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Bulk	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

2N4393-E3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: JFET N-CH 40V TO206AA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 20 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 500 mV @ 1 nA
Resistance - RDS(On): 100 Ohms
Power - Max: 1.8 W
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk

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