2N4399 Microchip Technology
Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS PNP 60V 30A TO204AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 1A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 15A, 2V
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 5 W
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Technische Details 2N4399 Microchip Technology
Description: TRANS PNP 60V 30A TO204AA, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 1A, 10A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 15A, 2V, Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3), Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 5 W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| 2N4399 | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 60V 30A 5W PNP Power BJT THT |
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| 2N4399 | onsemi / Fairchild |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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2N4399 | STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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2N4399 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - 2N4399 - SILICON PNP TRANSISTOR, 60V, 30A, TO-3 Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 40 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 30 Verlustleistung: 5 Bauform - Transistor: TO-3 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 2 Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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2N4399 | Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 60V 30A 5000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2N4399 |
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Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 60V 30A 5W PNP Power BJT THT
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Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT
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Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT
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| 2N4399 |
|
Hersteller: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - 2N4399 - SILICON PNP TRANSISTOR, 60V, 30A, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 30
Verlustleistung: 5
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - 2N4399 - SILICON PNP TRANSISTOR, 60V, 30A, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 30
Verlustleistung: 5
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
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| 2N4399 |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT PNP 60V 30A 5000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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