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2N4400

2N4400 NTE Electronics, Inc.

2n4400_01.pdf
Hersteller: NTE Electronics, Inc.
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 3-Pin TO-92
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Technische Details 2N4400 NTE Electronics, Inc.

Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO92, Packaging: Bag, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 1V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: TO-92, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 625 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2N4400 2N4400 NTE Electronics, Inc 2N4400_01.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO92
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
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2N4400 2N4400 onsemi / Fairchild 2N4400-1299880.pdf Bipolar Transistors - BJT TO-92
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2N4400 2N4400 NTE ELECTRONICS 1809120.pdf Description: NTE ELECTRONICS - 2N4400 - TRANSISTOR, NPN, 40V
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 50
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600
Verlustleistung: 625
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
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2N4400
Hersteller: NTE Electronics, Inc
Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO92
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
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Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT TO-92
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2N4400
Hersteller: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - 2N4400 - TRANSISTOR, NPN, 40V
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 50
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600
Verlustleistung: 625
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
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