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2N4401BU

2N4401BU ONSEMI

2N4401_MMBT4401.PDF Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.6A; 0.35W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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Anzahl Preis ohne MwSt
670+0.11 EUR
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Technische Details 2N4401BU ONSEMI

Description: ONSEMI - 2N4401BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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2N4401BU 2N4401BU Hersteller : ONSEMI 2N4401_MMBT4401.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.6A; 0.35W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
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2N4401BU 2N4401BU Hersteller : ON Semiconductor 2n4401-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 6194 Stücke:
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2115+ 0.071 EUR
2500+ 0.063 EUR
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2N4401BU 2N4401BU Hersteller : ON Semiconductor 2n4401-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
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338+0.46 EUR
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2115+ 0.066 EUR
2500+ 0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 338
2N4401BU 2N4401BU Hersteller : onsemi ONSM-S-A0003587700-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BJT TO92 40V NPN 0.25W 150C
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 27690 Stücke:
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34+0.53 EUR
49+ 0.46 EUR
100+ 0.22 EUR
500+ 0.19 EUR
1000+ 0.13 EUR
2000+ 0.11 EUR
5000+ 0.1 EUR
10000+ 0.086 EUR
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2N4401BU 2N4401BU Hersteller : onsemi / Fairchild MMBT4401_D-2316326.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
auf Bestellung 20004 Stücke:
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68+0.77 EUR
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239+ 0.22 EUR
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2N4401BU 2N4401BU Hersteller : ON Semiconductor 2n4401-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
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2N4401BU 2N4401BU Hersteller : ONSEMI 1865667.pdf Description: ONSEMI - 2N4401BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 7 Stücke:
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2N4401BU Hersteller : Fairchild/ON Semiconductor ONSM-S-A0003587700-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,625; Uceo, В = 40; Ic = 600 мА; Тип монт. = вивідний; ft, МГц = 250; hFE = 100 @ 150 мA, 1 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,75 @ 50 мA, 500 мА; Тексп, °С = -55...+150; TO-92-3
auf Bestellung 231 Stücke:
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59+0.11 EUR
64+ 0.097 EUR
100+ 0.086 EUR
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2N4401BU 2N4401BU Hersteller : ON Semiconductor 2n4401-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
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