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2N4401BU

2N4401BU ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
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Technische Details 2N4401BU ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2N4401BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 625mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-92, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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2N4401BU 2N4401BU onsemi MMBT4401-D.PDF Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
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2N4401BU 2N4401BU onsemi MMBT4401-D.PDF Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
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2N4401BU 2N4401BU ONSEMI 2N4401_MMBT4401.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 40V
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 100...300
Kind of package: bulk
Case: TO92
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.6A
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2N4401BU 2N4401BU ONSEMI 2303839.pdf Description: ONSEMI - 2N4401BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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2N4401BU Fairchild/ON Semiconductor 2N4401_Fairchild.pdf Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 40, Ic = 600 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 250, hFE = 100 @ 150 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,75 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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5000+0.067 EUR
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
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2N4401BU
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
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5000+0.096 EUR
10000+0.087 EUR
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2N4401BU
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 40V
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 100...300
Kind of package: bulk
Case: TO92
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.6A
auf Bestellung 4867 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4401BU 2303839.pdf
2N4401BU
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N4401BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 7212 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 40, Ic = 600 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 250, hFE = 100 @ 150 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,75 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
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